閩臺(tái)STANSON 專注MOS 13年STC4614 STP413D 原廠交貨快

時(shí)間：2020-03-24作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：255

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

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  詞條說明

• STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG

• STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

  STANSON 閩臺(tái)司坦森原廠直銷 長期庫存充足，價(jià)格優(yōu)美，質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強(qiáng)模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到較低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其

• 臺(tái)灣STANSON廠家STC4614 規(guī)格參數(shù)NP40V 10A

  描述STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的STC4614 參數(shù)：N溝道40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）@ VGS = 10V40V／6A，RDS

• 臺(tái)產(chǎn)MOS管 STN4438 參數(shù)N60V 8.5A用于風(fēng)扇 原廠交貨快

  STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對(duì)國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3