MOS管失效原因是什么？

時間：2019-12-18作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：645

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• STN4828 N60V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828

  STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強型功率場效應晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側開關特征60V

• 原廠STC4614 規(guī)格NP40V 10A 25mΩ SOP-8應用于按摩器主板

  STC4614可替代其它品牌：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆

• MOS管失效原因是什么？

  MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩 端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產

• 臺灣STANSON廠家STC4614 規(guī)格參數(shù)NP40V 10A

  描述STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的STC4614 參數(shù)：N溝道40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）@ VGS = 10V40V／6A，RDS