PN8235 15W充電器適配器芯片

時間：2020-01-05作者：深圳市驪微電子科技有限公司瀏覽：308

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  詞條說明

• 手機充電器芯片5v2a充電方案

  本期為大家介紹驪微電子熱門方案 PN8370M+PN8305L 5V2A六級能效充電方案，該5v2a充電器芯片方案擁有低待機、高效率、小體積、高可靠性等優(yōu)點，備受工程師青睞！ ? PN8370M集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。 ? PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSF

• PN8306 5V同步整流芯片ic

  PN8306產品描述：PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。PN8306內置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉換效率并降低芯片溫度。PN8306處于開關工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開關電源系統(tǒng)。當芯片檢測到V SW <-400mV，控制器驅動功率MOSFET開啟；當芯片檢測到功率MOSFET流過的

• 30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案

  自從iPhone 12系列手機取消標配充電器以來，各大手機品牌紛紛跟進，目前Apple手機/平板電腦等多種數(shù)碼產品充電功率需求進一步提升，20W快充已經無法滿足快速充電需求，30W PD快充成了繼20W PD快充之后的另一大潛力市場，驪微電子推出基于PN8165+PN8307H的30W小體積PD快充參考設計，以滿足快充市場需求！30W PD套片方案：主控芯片采用PN8165，次級同步采用PN830

• PN8307H 18W PD同步整流芯片

  N8307H概述：PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。PN8307H內置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級能效的標準，并留有足夠的裕量。PN8307H集成了較為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護、防誤開啟、較小導通時間等功能。?PN8307H產品特征：■