毫歐電阻的溫度影響精度測試分析

時間：2015-08-14作者：長春艾克思科技有限責任公司瀏覽：153

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• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4

• 電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品

  電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品，分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測試階段。

• AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標機領(lǐng)域！

  AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標機領(lǐng)域！ 該模塊在原有基礎(chǔ)上，將工作頻率提高到2kHz，自身消耗功率小于5W，體積小巧，很容易和激光器集成在一起。同時模塊增加了和激光打標卡的接口，直接用于現(xiàn)有各種打標軟件系統(tǒng)。

• 材料蒸發(fā)溫度控制電源

  圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應(yīng)的溫度范圍有限，50~1300℃大溫度范圍的控制，一般采用多點曲線升溫的方式，單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象，引發(fā)系統(tǒng)失調(diào)，損壞電熱絲和熱電偶，經(jīng)過長期的實驗調(diào)試，這里推出多參數(shù)PID控制電源，用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在前面板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕，通過設(shè)定旋鈕位置，保證了加熱系統(tǒng)的安全；電源前